關于 砷化鎵單晶爐 結果1
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砷化鎵單晶爐用于GaAs等化合物晶體的生長  按結構形式:垂直生長,水平生長,梯度生長及移動生長 , 提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產研發工藝。
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砷化鎵單晶片
砷化鎵是繼硅之后研究最深入、應用最廣泛的半導體材料，由于砷化鎵禁帶寬度寬、電子遷移率高、直接帶躍遷，因而砷化鎵不僅可直接研制光電子器件
深圳市旺達康新材料科技有限公司企業已認證
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