南宁市华贝特电子科技有限公司
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广西玉林UPS不间断电源
南宁市华贝特电子科技有限公司是一家提供广西玉林UPS不间断电源、广西EPS应急电源、广西UPS免维护蓄电池及电源产品及X技术服务的高新技术企业。
华贝特公司在广西玉林地区销售UPS不间断电源，每年华贝特公司通过各种渠道，销售了很大UPS不间断电源至玉林地区，特别是各大行政单位中，都是华贝特公司的客户。UPS不间断电源以逆变器为主要系统的后备电源，有关逆变器的知识很多，我们看下用于逆变器的功率半导体：
输出逆变器连接直流母线和电网。通常，开关频率没有DC/DC变换器的高。输出变换器必须处理由所有组变换器产生的电流总和。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是在这一逆变器使用的理想器件。图5给出了IGBT工艺的两个横截面。
两种工艺都采用了晶圆减薄工艺，旨在降低导通损耗以及由衬底厚度太大造成的开关损耗。标准工艺和TrenchStop工艺是非外延IGBT工艺，没有采用晶体管生长工艺，因为此类工艺流程的成本很高，因为阻断电压是根据增长晶体的厚度来决定的。
在断开状态下，标准NPT 单元在半导体内部形成了一个三角形的电场。所有阻断电压都被衬底的n区域
吸收（取决于其厚度），以使电场在进入集电极区域之前降到0。600V芯片的厚度是120mm，1200V芯片的厚度是170mm。 饱和电压为正温度系数，从而简化了并联使用。
TrenchStop 工艺是X的沟槽栅（trench gate）和场终止层（fieldstop）概念的结合，可以进一步降低导通损耗。Trench gate工艺提供更高的沟道宽度，从而减小了沟道电阻。ndoped 场终止层只执行一项任务：以极低的断态电压值抑制电场。这为设计出电场在n衬底层中几乎是水平分布的创造了条件。这说明，材料的电阻非常低，因而在导通过程中，电压降很低。电场终止层的X势，可通过进一步降低芯片的厚度得以发挥，从而实现上述所有X越性。采用TrenchStop工艺也可实现并联。
