雞西Nicrofer5520Co化學氣相沉積罩式爐用鎳基合金

最大工作區尺寸可達2.5m×2m×4.5m，能滿足超大型工件化學氣相沉積處理需求

SM型石墨爐，發熱元件為石墨成分，高真空高溫度，常用溫度2000度，碳化-氣相沉積爐

HKCVD-1200由開啟式單（雙）溫區管式爐、高真空擴散泵系統、壓強控制儀及多通道高精度數字質量流量控制系統組成。可實現真空達0.001Pa混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。

主要用途：CNT生產的CVD（真空化學氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質量TiC、SiC、SiO2、Si3

1 CVD系統可以制備高質量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動力學過程 2 CVD系統沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實現厚膜沉積且能大量生產

高溫石墨化爐，化學氣相沉積爐，真空石墨化爐，碳纖維石墨化爐，真空爐，真空脫脂燒結一體爐，